從全自動化製造邁向智慧製造
從全自動化製造邁向智慧製造 講者／游志源（台積電資…
半導體
記憶運算 學人腦思考(1/2)
記憶運算 學人腦思考(1/2)
撰文／Massimiliano Di Ventra & Yuriy V. Pershin｜譯者／甘錫安
轉載自《科學人》2015年4月第158期
新型電子元件不像電晶體，反而更像神經元，將帶來效率極高、運算速度更快的「記憶電腦」。
記憶運算 學人腦思考(2/2)
記憶運算 學人腦思考(2/2)
撰文／Massimiliano Di Ventra & Yuriy V. Pershin｜譯者／甘錫安
轉載自《科學人》2015年4月第158期
新型電子元件不像電晶體，反而更像神經元，將帶來效率極高、運算速度更快的「記憶電腦」。
巨量資料之於半導體製造：儲存及計算平台開發、維運、及人才養成
巨量資料之於半導體製造：儲存及計算平台開發、維運、及人才養成
講者／蕭宏章（成大資工系教授）│彙整／《科學人》編輯團隊
轉載自2018.01.14〈科創講堂．ICT資通訊科技〉
西元2000年左右，大家就在說晶片時脈上不去，晶片裡面可以裝的半導體數目則越來越多。另一方面，CPU裡面RAM的存取速度呈指數成長，但磁碟的存取速度上不去。就資料來說，數量一直增加，明年的資料量是今年的K倍，後年則是今年的K2倍，十年後來看，現在的資料量只有一點點。
III-V族化合物半導體在光電元件中的應用
III-V族化合物半導體在光電元件中的應用
國立彰化師範大學光電科技研究所林祐仲教授/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此能量大約等於導帶底部與價帶頂端之能量差稱為該半導體之能隙，然而間接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端時，除能量的變化外，還包括晶體動量的改變，兩者之簡易能帶架構顯示於圖一。
發光二極體-歷史 〈LED-History〉
發光二極體-歷史 〈LED-History〉
高雄市立高雄高級中學三年級徐維澤/高雄市立高雄高級中學物理科盧政良老師修改/國立彰化師範大學物理系洪連輝教授責任編輯
歷史 History
發現與發展 Discovery and development
二十世紀早期, Marconi實驗室的Henry Round首先注意到，半導體的接點可以發光。在1920年代中期，俄國的Oleg Vladimirovich Losev 獨立的發明的第一個發光二極體(LED)，他的研究，即使廣佈於英國、德國、俄國的科學期刊，卻被忽視。1955年，美國無線電公司(the Radio Corporation of America)的Rubin Braunstein 指出砷化鎵 (GaAs)以及其他半導體合金能放出紅外線。1961年，德州儀器的實驗家 Bob Biard 以及 Gary Pittman發現砷化鎵 (GaAs)，在施以電子流時，會釋放紅外光輻射。Biard和Pittman在成果上取得優先並取得紅外線LED的專利。1962年，通用電氣公司 (General Electric Company)而之後再依利諾大學香檳分校(the University of Illinois at Urbana-Champaign)的Nick Holonyak Jr. 開發出第一種實際應用的可見光LED，並且被視為「發光二極體之父」；而Holonyak的前研究生M. George Craford於1972年發明了第一個黃光的LED而且亮度是紅色或橘紅色LED的10倍。