掃描穿隧式顯微鏡（Scanning Tunneling Microscope，STM）儀器架構
掃描穿隧式顯微鏡（Scanning Tunneling Microscope，STM）儀器架構
國立臺灣師範大學物理系曾鈺潔碩士生/國立臺灣師範大學物理系蔡志申教授責任編輯
掃描穿隧式顯微鏡（STM）為何可以利用探針與樣品間的距離來顯示樣品表面影像，已在本討論區的文章–『掃描穿隧式顯微鏡原理』中說明，在此將對實際儀器架構的內容加以解說。
掃描穿隧式顯微鏡架構的示意圖如下。（圖片來源：維基百科）
現代科技簡介 Introductory Modern Technology
掃描穿隧式顯微鏡原理
掃描穿隧式顯微鏡原理 (Scanning Tunneling Microscope，STM)
國立臺灣師範大學物理系曾鈺潔碩士生/國立臺灣師範大學物理系蔡志申教授責任編輯
掃描穿隧式顯微鏡 (STM) 是利用量子穿隧效應 (quantum tunneling effect) 探測晶體表面原子結構的儀器。其發明的原由皆在本站文章–「顯微鏡發展歷史–掃描穿隧式顯微鏡的誕生」中陳述；此文將進一步討論掃描穿隧式顯微鏡的設計原理。
顯微鏡發展歷史–掃描穿隧式顯微鏡的誕生
顯微鏡發展歷史–掃描穿隧式顯微鏡的誕生 (Scanning Tunneling Microscope，STM)
國立臺灣師範大學物理系曾鈺潔碩士生/國立臺灣師範大學物理系蔡志申教授責任編輯
掃描穿隧式顯微鏡（STM）是利用量子穿隧效應（quantum tunneling effect）探測晶體表面原子結構的儀器。由格爾德‧賓寧（Gerd Binnig）及海因里希‧羅雷爾（Heinrich Rohrer）在1981年於瑞士蘇黎世的IBM蘇黎世實驗室（IBM Zurich）發明，因其解析度可達次原子尺度，使兩位發明者榮獲1986年的諾貝爾物理學獎。
你家的液晶顯示器可以產生多少種顏色呢？
你家的液晶顯示器可以產生多少種顏色呢？
國立苑裡高級中學物理科王建揚老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
網路上billylinw︰『現在流行彩色手機，常聽到65536色、4096色、26萬色、256色。不過，很少聽到電腦的色彩是幾色耶！不知道要怎麼查耶！』
lamina︰『目前大概就是這樣吧….
在桌面按右鍵選內容點設定值，這樣就可以看到你目前選用的色彩解析
-16 位元 => 65536 色
-24 位元 => 1677 萬色(全彩) 』
REI︰『再請教一個問題…
電腦顯示的顏色…是看顯示卡還是顯示器…
像我的顯示卡可以到32位元..
但LCD顯示器只有到24位元…
另外…據說24位元是肉眼辨識的極限… 』
自潔功能〈Self clean function〉
自潔功能〈Self clean function〉
台中縣立新社高級中學物理科陳俊清老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
所謂自潔功能，是指當灰塵等污染物沾到物體的表面時，可藉由天然雨水的沖刷，不需人工清洗，就可保持表面的清潔，我們稱其具有自潔能力。
「蓮之出淤泥而不染，濯清廉而不妖，中通外直，不蔓不枝，香遠益清，亭亭淨植，可遠觀而不可褻玩焉」，蓮葉上頭之所以有著乾淨的表面，是來自於它本身的自潔能力，蓮花葉片上具有許多細小之纖毛，使得滴落於葉面上之水珠與其之接觸角(contact angle)大於 $$140$$ 度且使水不沾附於葉面而形成小水珠，這就是蓮葉表面的超疏水(superhydrophobicity)性質。
由下往上〈Bottom up〉
由下往上〈Bottom up〉
台中縣立新社高級中學物理科陳俊清老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
在奈米製造技術上，基本上可分成兩大主流，Top down 與 Bottom up，Top down 是藉由加工的極細微化，控制塊材能由大而小雕塑的技術，Bottom up 是藉由操控原子及分子，由小而大開發奈米新材料的技術，兩者均有其擁護者。
蓮花效應〈Lotus effect〉
蓮花效應〈Lotus effect〉
台中縣立新社高級中學物理科陳俊清老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
「蓮之出淤泥而不染，濯清廉而不妖，中通外直，不蔓不枝，香遠益清，亭亭淨植，可遠觀而不可褻玩焉」，蓮葉上頭之所以有著乾淨的表面，是來自於它本身的自潔能力，雨水落於上之所以形成水珠，是來自於水珠的表面張力大於與蓮葉接觸面間的附著力，但是這兩種現象都是歸咎於蓮花效應的展現。
III-V族化合物半導體在光電元件中的應用
III-V族化合物半導體在光電元件中的應用
國立彰化師範大學光電科技研究所林祐仲教授/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此能量大約等於導帶底部與價帶頂端之能量差稱為該半導體之能隙，然而間接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端時，除能量的變化外，還包括晶體動量的改變，兩者之簡易能帶架構顯示於圖一。