光電元件

III-V族化合物半導體在光電元件中的應用
國立彰化師範大學光電科技研究所林祐仲教授/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此能量大約等於導帶底部與價帶頂端之能量差稱為該半導體之能隙，然而間接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端時，除能量的變化外，還包括晶體動量的改變，兩者之簡易能帶架構顯示於圖一。