人造光源

發光二極體（Light Emitting Diode）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

發光二極體本質上是一pn接面二極體，典型上由直接能隙半導體構成，其電子電洞對(EHP)復合，並造成放射出光子，射出光子能量因此近似於能隙能量，圖顯示一個未加偏壓pn⁺接面元件能帶圖，其中n側相較於p側為重摻雜，能帶圖繪製時，須讓整個元件的費米能階維持一樣，這個要求是在平衡且不加外加偏壓下。pn⁺元件的空乏區主要延伸到p區，從n側E_c到p側Ec，有一位能障eV_o，那是△E_c=eV_o，其中V_o是內建電壓，在n側高濃度的導電即自由電子，使得導電電子由n側擴散到p側，然而，靜電子擴散被電子PE位障eV_o阻止。