突觸後電位（下）
突觸後電位 (Postsynaptic potential)下
國立臺灣師範大學生命科學系楊可欣碩士
發生動作電位的位置是在神經軸丘（axon hillock） ，因為神經細胞的軸丘是整個細胞中電壓敏感（voltage-gated）的鈉離子通道密度最高的區域，也就是單位面積所含的鈉離子通道最多的區域。
動作電位
膜電位與動作電位 -下
膜電位 (Membrane Potential)與動作電位 (Action Potential)-下
臺北市私立再興中學生物科蔡緻怡老師/國立臺灣大學動物所陳俊宏教授責任編輯
請參閱膜電位與動作電位 -上
靜止膜電位形成的機制是由英國科學家霍奇金 (A.L. Hodgkin)和赫胥黎 (A.F. Huxley)兩人在1940年代，利用烏賊的巨大神經軸突 (giant axon)進行研究時所發現，並且在進行胞內電位變化測量時，首次記錄到動作電位 (action potential)。他們對於神經電生理的貢獻極大，因此獲得了1963年的諾貝爾生理醫學獎。
膜電位與動作電位 -上
膜電位 (Membrane Potential)與動作電位 (Action Potential)-上
臺北市私立再興中學生物科蔡緻怡老師/國立臺灣大學動物所陳俊宏教授責任編輯
細胞在靜止狀態下，可以利用微電極測出細胞膜內外存在著電位差，即所謂「膜電位 (membrane potential)」。
這是因為細胞內外離子分佈不均勻所造成的現象，導致細胞內的電位較低，細胞外的電位較高，呈現「外正內負」的差別。
一般而言，細胞外的鈉離子與氯離子較胞內多，而細胞內的鉀離子較胞外多，究竟是什麼原因造成離子分佈不均勻呢？