發光二極體（Light Emitting Diode）
國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯
發光二極體本質上是一pn接面二極體，典型上由直接能隙半導體構成，其電子電洞對(EHP)復合，並造成放射出光子，射出光子能量因此近似於能隙能量，圖顯示一個未加偏壓pn+接面元件能帶圖，其中n側相較於p側為重摻雜，能帶圖繪製時，須讓整個元件的費米能階維持一樣，這個要求是在平衡且不加外加偏壓下。pn+元件的空乏區主要延伸到p區，從n側Ec到p側Ec，有一位能障eVo，那是△Ec=eVo，其中Vo是內建電壓，在n側高濃度的導電即自由電子，使得導電電子由n側擴散到p側，然而，靜電子擴散被電子PE位障eVo阻止。
二極體 （Diode）
高雄市立高雄高級中學物理科盧政良老師/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
電子元件當中，二極體是一種具有兩個(也只有兩個)電極的裝置(除了熱游離二極體 thermionic diodes可能還會多一到兩條加熱用的輔助端)。二極體有兩個主要的電極可以使想要的訊號通過，大部分的使用上是應用其整流的功能。而變容二極體 varicap diode則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流 rectifying」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極體並不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為複雜的非線性電子特徵－這是由特定類型的二極體技術決定的。二極體使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。
半導體概論 （Semiconductor）
國立台南第一高級中學二年級黃政翰/國立台南第一高級中學物理科王俊乃老師/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
半導體 (Semiconductors) 與絕緣體 (insulators) 是極度相似的。這兩種材料最主要的不同處在於：絕緣體擁有較大的能隙 (energy band gaps)，也就是電子自由的在原子間移動時所需的能量較多。在常溫下的半導體，會像絕緣體一樣，只有非常少的電子能獲得足夠的熱能，不能跨越價帶與導帶間的能隙，可以產生電流導電。因此，在沒有電場作用下，純半導體與絕緣體擁有相近的電阻。然而，要改變有較小能隙的半導體的電學性質，除溫度外還有其他方式。
二極體 （Diode）
高雄市立高雄高級中學物理科盧政良老師/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯
電子元件當中，二極體是一種具有兩個(也只有兩個)電極的裝置(除了熱游離二極體 thermionic diodes 可能還會多一到兩條加熱用的輔助端)。二極體有兩個主要的電極可以使想要的訊號通過，大部分的使用上是應用其整流的功能。而變容二極體 varicap diode 則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流rectifying」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極體並不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為複雜的非線性電子特徵－這是由特定類型的二極體技術決定的。二極體使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。