近期物理相關之研究發展
二氧化碳雷射 (Carbon Dioxide Laser)
國立臺灣大學物理系 蔡雨錡
要了解二氧化碳雷射前，首先要來了解雷射。電子狀態有不同的能階，當電子自發地從高能階往低能階躍遷時會釋放出相應能量的電磁波，這樣的現象稱做自發射 (spontaneous emission)。如果有外界干擾（例如入射電磁波），也會促使電子從高能階往低能階躍遷，如此而釋放出電磁波的現象稱為受激發射 (stimulated emission)。雷射就是靠這種「以光生光」的機制來產生相干性很好的光源。受激發射的概念是愛因斯坦在1917年首度提出。受激發射所有光學特性跟自發辐射相同，包括频率、相位、前进方向，只是光的强度放大。而「laser」就是受激發射的光訊號放大 (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) 的縮寫。
半導體：原理與發展（二）電晶體簡介(Semiconductor: Principle and Development (II) — Introduction to transistor)
國立臺灣大學物理學系 李品儀
此種電晶體為利用基極電流大小控制此電晶體是否需要導通，以及集極和射極之間的電流大小，圖一 (b) 為 npn 電晶體之簡單結構圖，藍紫色區域為 n 型半導體，白色區域為 p 型半導體。紅色方框為主要的載子運動區域。
半導體：原理與發展（一）歷史、物理原理與二極體 (Semiconductor: Principle and Development (I) — History, physical principles and diode)
國立臺灣大學物理學系 李品儀
半導體材料是一種導電性可受到控制的材料，有別於絕緣體和導體，其電阻是可以受到施加於兩側的電壓所控制。因而使我們能夠自動控制各類電子儀器。
半導體技術發展至今已有一百多年的歷史，於 1883 年，法拉第 (Michael Faraday, 1791-1867) 發現硫化銀的電阻與普通的金屬不同