半導體 (Semiconductor)(二)

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半導體 〈Semiconductor〉(二)
高雄市立高雄女子高級中學一年級馬立宜、張晉瑜、周炯彤、陳君庭/高雄市立高雄女子高級中學物理科蔡宗賢老師修改/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯

費米能階
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在某一溫度下,那一個能階電子佔據的機率,遵守電子遵守的費米-狄拉克統計 3.jpg 。費米-狄拉克統計分佈與溫度有關,我們也定義出費米能量或者費米能階,來描述電子在不同能量下分佈的情形。在絕對零度下,電子從最低能量開始一直到所能 具有的最大能量,這個最大能量稱為費米能量或者費米能階,也就是說在絕對零度時,費米能階以下的能量均有電子佔據,費米能階以下每個能態電子存在的機率為 1,反過來說費米能階以上的能量,電子佔據的機率為0。在高溫時,費米能階被電子佔據的機率下落到了0.5。

電子能量分佈與溫度的相關性,解釋了為什麼半導體的傳導與溫度有很強關連,因此在低溫下,半導體只有少量可利用的自由電子和電洞來進行工作。

載子能量-動量分佈關係

在先前的描述,我們為了簡化忽略了一個很重要的關係:載子(電子與電洞)能量與動量的關係。在同一能帶內的能階的寬度,取決於電子的波向量,或者稱為k向量(k-vector)。在量子力學中,k向量代表電子的動量。

能量動量分佈關係決定電子與電洞在半導體中的有效質量m *,
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載子的有效質量是重要的,因為它會影響許多半導體的電性質,例如電子或電洞的遷移率,而遷移率是載子在半導體中擴散和傳導很重要的參數。

普遍上來看,電子和電洞的有效質量是不同的。這使得P通道和N通道的場效電晶體表現不同(Muller& Kamins 1986:427)。

價帶的最高位置和傳導帶的最低位置,也許不在相同的k值上。具有這個情況的材料,例如矽和鍺,我們稱為間接能隙材料(indirect bandgap material)。但如果價帶的最高位置和傳導帶的最低位置是在相同的k值上,例如砷化鎵,我們稱為這種材料為直接能隙材料(direct bandgap material)。在光電性質方面直接能隙材料比間接能隙材料更有效能。

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載子的產生與復合

當游離輻射打在半導體上,可能會激發一個電子從價帶跳到傳導帶,而在價帶留下一個空位,先前我們已用電洞模型來解釋這個空位。這個過程我們稱為電子-電洞對 (electron-hole pair)的產生。在微觀的角度看,也就是晶體吸收輻射能斷鍵,所產生的電子-電洞對。在缺乏任何外來能源的狀況下,溫度所提供的熱能,也能產生電子-電洞對。

成對的電子電洞也可以再復合。而就能量守恆的角度來看,在此一個電子與電洞復合,所失去的能量大於能隙的能量,所以在幅射能(以光子photon的形式)的發射上也伴隨著熱能(以聲子phonon的形式)的發射。
在穩定狀態中,電子電洞的生成和復合是互相成平衡的。 在定溫,平衡狀態下成對電子電洞的數量,是由量子統計力學決定。載子的生成和復合,是量子力學根據能量守恆和動量守恆定律來決定。

電子和電洞相遇的機率,當然跟電子與電洞產生的數量成正比,在定溫下電子電洞的生成與復合近乎是固定的。故電子電動產生的數目是溫度的函數,大約是 6.jpg

k是波茲曼常數,而T是絕對溫度。

There is 1 comment for this article
  1. 陳世興 at 13:17:06

    感謝
    寫得滿不錯
    淺顯易懂

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