發光二極體-歷史 〈LED-History〉

發光二極體-歷史 〈LED-History〉
高雄市立高雄高級中學三年級徐維澤/高雄市立高雄高級中學物理科盧政良老師修改/國立彰化師範大學物理系洪連輝教授責任編輯

歷史 History
發現與發展 Discovery and development

二十世紀早期, Marconi實驗室的Henry Round首先注意到，半導體的接點可以發光。在1920年代中期，俄國的Oleg Vladimirovich Losev 獨立的發明的第一個發光二極體(LED)，他的研究，即使廣佈於英國、德國、俄國的科學期刊，卻被忽視。1955年，美國無線電公司(the Radio Corporation of America)的Rubin Braunstein 指出砷化鎵 (GaAs)以及其他半導體合金能放出紅外線。1961年，德州儀器的實驗家 Bob Biard 以及 Gary Pittman發現砷化鎵 (GaAs)，在施以電子流時，會釋放紅外光輻射。Biard和Pittman在成果上取得優先並取得紅外線LED的專利。1962年，通用電氣公司 (General Electric Company)而之後再依利諾大學香檳分校(the University of Illinois at Urbana-Champaign)的Nick Holonyak Jr. 開發出第一種實際應用的可見光LED，並且被視為「發光二極體之父」；而Holonyak的前研究生M. George Craford於1972年發明了第一個黃光的LED而且亮度是紅色或橘紅色LED的10倍。

日本日亞(Nichia)化工的中村修二(Shuji Nakamura)展示了第一個高亮度的LED 以銦氮化鎵(InGaN)為基礎，藉助氮化鎵(GaN)在以藍寶石基質上的晶核作用以及名古屋大學的赤崎勇 (I. Akasaki) 和 天野浩(H. Amano)展示P型參雜氮化鎵(GaN)的關鍵發展，藍光LED的存在快速地引領了第一個白光LED──使用Y3Al5O12:Ce, (YAG),裹著螢光劑並混合藍光和黃光而製造出白光。中村修二於2006年因其發明被頒予千禧科技獎(Millennium Technology Prize)

參考資料： http://en.wikipedia.org/wiki/LED