巨磁阻(Giant Magnetoresistance)簡介

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巨磁阻(Giant Magnetoresistance)簡介
國立臺灣師範大學物理系吳幸璇碩士生/國立臺灣師範大學物理系蔡志申教授責任編

巨磁阻效應是二十世紀末最偉大的發明之一,其發明開啟了自旋電子學(spintronics)領域的蓬勃發展,使得今日的科技大大向前躍進。

巨磁阻現象的發現是在1988年由德國尤利西研究中心的彼得‧葛倫伯格(Peter Grunberg)和巴黎第十一大學的艾爾伯‧費爾(Albert Fert)分別獨立發現,兩人共同獲得2007年諾貝爾物理學獎;而另外一位對巨磁阻有重大貢獻的科學家則是IBM實驗室的史都華‧帕金(Stuart S. P. Parkin),他將巨磁阻應用到常溫,並且做了很多新材料的開發及改良,使得巨磁阻的技術加速發展,並與工業界成熟的製程技術相接軌。

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在深入探討巨磁阻現象之前讓我們先簡單的介紹一些基本的名詞,首先「自旋」(spin)是一種具有方向的物理特性,其中電子的自旋分為「自旋向上」(spin up)及「自旋向下」(spin down)(上、下的相對方位通常和我們所外加的磁場有關)。

磁偶極矩也是一種具有方向的物理特性,其來源分為兩者,分別為電子自旋及電子繞著原子核在軌道上運行;當物質的磁偶極矩相互加成後仍有靜磁矩存在,並且形成原子磁矩順向排列的磁區時,則稱之為「鐵磁性物質」。

而所謂磁阻是指電阻受到外加磁場後所產生的變化,舉例來說,若為負磁阻則表示電阻值隨著磁場的增加而減少,反之正磁阻則表示電阻值隨外加磁場增加而增加。

巨磁阻現象

巨磁阻現象是把鐵磁性物質和一般金屬製作成複合式多層膜的結構,各膜層厚度在奈米尺寸,此時稱之為超晶格,將此多層膜放置到磁場中時,若磁場強度增加時,則磁阻會明顯下降。

彼得‧葛倫伯格的研究小組在最初的研究中只研究了由鐵、鉻、鐵三層材料所組成的結構物質,由他們的實驗結果顯示出電阻下降了1.5%;而艾爾伯‧費爾的研究小組則是研究了由鐵和鉻組成的多層材料,圖一是由艾爾伯‧費爾的研究小組的實驗結果,橫軸表示外加的磁場(即為磁化的強度),縱軸則為磁化時的電阻和無磁化的電阻(外加磁場為0時)之比值,由實驗顯示鐵和鉻之比例不同則可使電阻下降的程度不同,發現最多可使得電阻下降50%。
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應用及發展

巨磁阻效應有許多強大的應用,特別是在硬碟的讀取頭上,巨磁阻效應讓記憶體空間變小,使得電腦體積能夠越來越小,而電腦能夠儲存的資訊便越來越多;而不僅僅是電腦,就連MP3、PDA、i-Pod等產品,都可以有此效益,不但體積輕薄短小而可以擁有超高資料的儲存容量;而預計在2012年,硬碟儲存密度推展到3.5英吋的硬碟上可達到300 Tbits (1T = 1012 = 1000G )的超大容量,由此可知,到時候許多消費性電子產業勢必將更為蓬勃發展。

參考資料:
1.張慶瑞、蘇又新(2008),「巨磁阻物理之歷史與展望—從2007 年物理諾貝爾獎談起」,物理雙月刊三十卷二期,第110~115頁
2.江文中、李尚凡(2008),「2007 諾貝爾物理獎—輕鬆看巨磁阻」,物理雙月刊三十卷二期,第116~121頁
3.維基百科–巨磁阻效應  http://zh.wikipedia.org/zh-tw/巨磁阻
4.Alert Fert(2008),「The present and the future of spintronics」,Thin Solid Films 517 2-5

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